日本國立研究開發法人產業技術綜合研究所（以下簡稱，產綜研，AIST）11月5日宣佈，已向日本國內企業和大學開放用於試製先進半導體的設備。裝置製造商和材料製造商可以攜帶各自的技術，驗證是否適用於先進半導體的製造工序。向企業等開放此類設備在日本國內尚為首次。
產綜研「先進半導體研究中心」內的設備（供圖：產綜研）
這些設備可用於驗證線寬2奈米（奈米為十億分之一）以下半導體中使用的、被稱為「全環繞柵極（GAA）」結構的要素技術。由於GAA為複雜的立體結構，技術開發難度較高，因此需要可用於試製和驗證的設施。
在海外，比利時的國際研究開發機構imec以及美國紐約州的半導體研究機構「Albany NanoTech Complex」負責推進該技術的開發。產綜研介紹說，從技術保密角度出發，日本企業使用這些設施存在一定困難。
開放的設施設在茨城縣筑波市的「產綜研先進半導體研究中心」內。以產綜研為核心開發了對GAA結構不可或缺的成膜、蝕刻等製造技術，構築了讓企業能夠進行試製和驗證的環境。該設施支持產業主流的直徑300毫米硅晶圓。
產綜研理事長石村和彥表示「日本的裝置製造商和材料製造商擁有優勢，此舉將促使它們能夠根據各自需求實現更加靈活的開發。」從事半導體研究的大學也可使用這些設備。
原文：《日本經濟新聞》、2025/11/18
翻譯：JST客觀日本編輯部
