日本高輝度光科學研究中心（JASRI）、理化學研究所及神島化學工業公司組成的研發小組，成功開發了能分辨200nm結構的高解析度X光成像偵檢器。這款X光偵檢器擁有全球最高的解析度，能獲得前所未有的高精細X光影像。
爲了獲得高解析度X光影像，目前採用的方法是，利用薄膜閃爍體將X光轉換爲可見光後，用鏡頭等比增大並成像。不過截至目前，最精細的設備也只能分辨500nm左右的結構。
研發小組以大幅提高解析度爲目標，將着眼點放在了X光轉換爲可見光後的成像程序。成功開發了無接合層的5μm厚的透明薄膜閃爍體，大幅提高了光學特性。從而實施了接近X光成像理論極限的200nm解析度。另外，還利用該性能，成功拍攝了超大型積體電路（VLSI）器件内部300nm寬的佈線。這是全球首次以實用水平的畫質無損拍攝出VLSI内部的微細布線。
此次的成果表明，利用新開發的X光偵檢器能夠輕鬆獲得高解析度的透視影像。不僅是SPring-8等大型同步輻射設施，採用小型X光源的電子元器件也有望在無損檢查等領域實施實用化。
相關論文已於3月15日發表在美國科學雜誌《Optics Letters》上，還被評爲該雜誌編輯精選内容（Editor's pick）。
圖1：（a、b、c）條紋狀樣品的X光影像。（a）的線寬爲200nm、（b）的線寬爲400nm、（c）的線寬爲600nm。均可以區別線條的明暗。（d、e、f）分別爲（a、b、c）的投影資料。
文 JST客觀日本編輯部
